4P55seバイアス調整
Ipが60mAでは少ないので、カソード抵抗器680Ωにパラレルに450ΩをかましてIpを増やしてみた
え
合成抵抗値は270Ω
Ep=500V Ip=120mAと倍増
Ek=320V
歪率は0.5W時0.3%に低下、最大出力は30W近くに増加し，波形クリップも上下ほぼ同時にクリップするようになった。
PTの電流容量がわからないので、Ip=100mAまで減らすのがよさそうだか、この辺りが最良点かも。
LRとも同じカソード抵抗に
Ep=525Vに低下するが、ほぼ同じ程度となる
後はPTの電流容量が大丈夫か？が残る
